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硅碳棒周围空间温度梯度过大引起电耗增加

    如前文所述,硅烷在180 ℃以上以分解成无定形硅,硅碳棒的温度在900℃左右.硅烷分解后通过作均相成核反应.在硅芯表面成核和生长,形成硅晶体;而在硅碳棒周围的气相环境中,同时发生均相成核反应,产生硅粉。所以,降低硅碳棒周围环境温度、控制硅烷分解温度、抑制均相成核,可以最大程度地减少硅粉量硅粉的形成会造成不良影响。如果硅粉沉积在硅碳棒表面。则会造成硅碳棒畸形生长,容易产生树枝品,或者被硅品体包裹,形成气孔,降低硅碳棒的机械性能。硅粉若处于硅碳棒表面,则难以清洗,造成表面被杂质沾污。此外,硅粉具有易燃的特点,容易给生产带来安全隐患温度梯度对单位耗电量的影响在维持其他参数不变的情况下,改变冷却夹层中介质的进温度将会对耗电量产生影响。耗电最直观的数据就是总耗电量与硅碳棒的质量,如图7所示。通过在不同冷却介质温度下单位耗电量的对比可以发现.冷却介质的温度越高单位耗电就越小低温的冷却介质会转移更多的热量,从而降低硅碳棒周围空间的温度,使耗电量增加;高温的冷却介质转移的热量相对一较少,但硅碳棒周围多余的热量如果不能及时转移,就会产生硅粉、树枝晶等情况,影响硅碳棒的正常生长。因此,通过及时调整冷却介质的温度,既可保证硅碳棒正常生长,又不至于使硅碳棒周围空间温度梯度过大引起电耗增加,从而控制电耗,达到质量和电耗的平衡。www.sdzygw.com

 

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