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| 氮化硅结合硅碳棒是以碳化硅为骨料 |
| 氮化硅结合硅碳棒是以碳化硅为骨料.加入Si粉，在经过脱Hz O、脱氧的高纯Nz(99.906)气氛(微正压)中，于1450℃烧成。原料中少量的氧化铁对促进Si粉的氮化有催化作用，但Fez马含量不应超过0.8% Si与N:反应放热大，3Si + 2Nz Si3N +736kJ/mol;硅粉过细，升温过快，氮化速度过大，会造成烧成温度失控，Si熔化发生“流硅”现象。因此一般在1150--1450℃之间进行分段逐级升温的制度来控耐火材料研究院生产的硅碳棒砖实测值制氮化速率。当砖坯Si量已有80%以上被氮化后，可超过Si熔点温度进行氮化。烧成中砖坯内的S.要充分氮化，残余游离Si应最低;即烧后砖坯增重约为加入Si粉重量的2.5倍。此外，在1300℃以上，要注意反应3SiC+2 Nz一Sly Nq+3C造成的黑心”。制品中残余的游离Si多了，制品在使用中会由于反复加热冷却而发生开裂。Si3 N;结合硅碳棒制品中，纤维状Si3 N;形成网络结构。sic颗粒周围基质为粒状sic和纤维状或针状SiNqo SiN;结合硅碳棒具有高温强度大、高温下抗蠕变性好、抗氧化性好、热膨胀系数低、导热性好、抗热震性好等优点。其抗氧化性、抗金属熔体与碱侵蚀性优于氧化物结合硅碳棒与件SiC结合硅碳棒。结合硅碳棒广泛用于黑色，有色金属与陶瓷窑炉。氧氮化硅结合硅碳棒氧氮化硅(S., N, O)结合硅碳棒的生产与Si3 V;结合硅碳棒相近。图1示出了Si-N-O系与Si-C-N-O系在不同气氛与温度下Si , Siq, Si CIO.A Sii N;与SiC稳定存在的区域。从图1可见Si,从。可以在一定N,与O:分压的气氛或埋碳中由S，或Si姚与Si3 N;生成，即:2Si+Nz+1/2q一Sit Nz O3 Si+2N2十SiO一2 Siz Nz OSi3 Na+Siq一2Siz Nz O3Si+N,+CO一Sit Nz O+SiC烧成温度在1350-1500`C。烧成中Si与N:及O:或CO反应生成粒状Siz N O Siz Nz0结合硅碳棒其强度在1100℃达最高，此后随温度升高而下降。氧氮化硅结合硅碳棒抗碱性不如Si3 N;结合硅碳棒。Sialon结合硅碳棒图2示出了Si-AI-O-N交互系在1700℃的相图。图中g与O'区域为爵sialon与O'-Sialon的组成范围。Sip N;有。和俘二种晶型，。是低温型，日一是高温型。a一相在一定温度下能转变为R-相，但此转变是不可逆的。日-Si3 N;是类似Si姚结构的四面体，由于Si-N键和Al-O键的键长十分相近，分别为1.74人和1.75人;因此 Si3 N;晶格中的Si-N键能被AI-O。www.sdzygw.com |
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