由上可知，当溶液pH值为3时，硅碳棒表面氧化物生成速率达到饱和，匹配相应的机械去除速率，PJ以获得较高的MRR和表而质量，该结果与前期实验吻合。硅碳棒浓度对动电位极化曲线的影响趋势根据前期及以上研究结果，试验设置pH值、Hz0:和Fez浓度分别为3,4wt%,0.4mmol几，紫外光功率为32W。将Hz0:浓度分别调节至2wt%,4wt%,6wt%,8wt%进行静态电化学实验。动电位极化曲线如图2所示，相应腐蚀电位和腐蚀电流密度数据如表2所示。根据图2和表2可知，硅碳棒的腐蚀电位随Hz0:浓度的增大先升后降，在4wt%处取得最大值。相应地，腐蚀电流密度呈现的变化趋势相反，先降低后升高，在4wt%处取得最小值。溶液中氧化剂浓度较低时，其氧化性能也相应较弱硅碳棒表面氧化反应速度较低，氧化物生成量少。随着Hz0:含量的小断增加，溶液氧化性上升，Fez和Fez之问相互转化速率提高，促进了芬顿反应的进行。随之而来的是.OH浓度的升高，硅碳棒表面氧化速率加快，氧化层小断增厚，其钝化作用也小断显著。当Hz0:浓度增加至4wt%时，硅碳棒表面氧化速率达到最大，相应的表现为最大的腐蚀电位以及最小的腐蚀电流密度。溶液中Hz0:浓度继续增加时，过量的Hz0:会与.OH发生反应，消耗.OH的同时消耗大量硅碳棒小利于硅碳棒氧化反应的进行由上可知，当氧化剂浓度为4wt%时，硅碳棒表面氧化速率最快，匹配相应的机械去除速率，可以获得较高的MRR和表而质量，该结果与前期实验吻合。Fez十浓度对动电位极化曲线的影响趋势根据前期研究及以上结果，试验设置pH值、硅碳棒,Si0:磨粒浓度分别为3,4wt%,4wt%紫外光功率为32W。将F0.2mmol/L,0.4mmol/L,0.6mmol/L,0.8mmol/L进行静态电化学实验。试验所得动电位极化曲线如图3所示，相应腐蚀电位和腐蚀电流密度数据如表3所示。根据图3和表3可知，硅碳棒的腐蚀电位随Fez浓度的增大先升后降，在0.4mmol/L处取得最大值。相应地，腐蚀电流密度呈现地变化趋势相反，先降低后升高，在0.4mmol几处取得最小值。当Fez浓度较低时，提高Fez浓度可以促进芬顿反应朝正反应方向进行，加速Hz0:分解产生更多·OH，促进SiC表面氧化层的生成。随着Fez浓度升高超过0.4mmol几时，继续增加Fez浓度，溶液中发生剧烈化学反应且溶液变黄，同时产生大量气泡及絮状物沉淀。这是由于过量的Fez和硅碳棒问发生氧化反应生成Fez，大量Fez与溶液中OH一结合生成絮状物沉淀。溶液中铁离子和Hz0:的迅速减少抑制了芬顿反应的进行，小利于硅碳棒表面氧化物的生成。由上可知过高和过低的Fez浓度都小利于增加硅碳棒表面氧化层厚度。当Fez浓度为0.4mmol几时，晶片表面氧化速率最快，匹配相应的机械去除速率，可以获得较高的MRR和表面质量，该结果与前期实验吻合。www.sdzygw.com