网站首页 公司简介 新闻中心 产品展示 企业文化 联系我们

A、玻璃行业专用碳化硅电热元件
B、玻璃纤维坩埚炉专用硅碳棒
C、氮化硅烧结炉专用碳化硅电热元件
D、通用型碳化硅电热元件
E、抗腐蚀粗端部硅碳棒

  电话:0533-8179050
  传真:0533-6588997
  手机:13869320298
  网址:www.sdzygw.com
  地址:淄博市周村区周隆路6699号(309国道北北旺路段)
 
  
      新闻中心 网站首页 >> 公司新闻
 
影响硅碳棒晶须生长的主要反应
    由H:参与的化学反应方程式3-1,3-2和3-3由CVD法生长硅碳棒的热动力学相图可知在气源物质为Si-C-H系统中,当反应室珑浓度增大时,沉积3C-硅碳棒的单相域增大。实际上,在这些平衡式中,通过引入输运气体,增加H:浓度,全部反应式的平衡向左移动,反应向右边进行的能力减弱;但三个反应式对硅碳棒晶须生长的影响程度不同,反应式3-2和3-3为影响硅碳棒晶须生长的主要反应。当H:浓度增大时,式3-2和式3-3向右进行反应的减弱趋势较大,显著地影响到3-1式的平衡,导致出现大的p-硅碳棒单相域,从SiH4和C场分解获得的Si和C原子减少,使得有机会进入Ni-Si液相合金中的反应原子进一步减少。那么,硅碳棒晶须生长所需的成核合金液滴将随着HZ流量的增大而减少,因此生长出的晶须相应减少,沉积硅碳棒颗粒的几率增加,如图3-12(b)及3-12(c)所示。另外,方程式3-1向右进行反应的趋势,由于反应式3-2和3-3的强势作用而增强。从而使得实验过程中,有大量的硅碳棒生成,即使在基片表面有Ni-Si合金小液滴存在的情况下,小液滴表面也很快会被这些生成的硅碳棒包覆住,形成硅碳棒壳层,而Si原子和C原子在硅碳棒中的扩散很小,无法进入到小液滴中,使得VLS生长机制停止,晶须不再生长。总的来说,随着HZ浓度增加,硅碳棒合成更迅速,并且生成的硅碳棒会沉积在样品表面形成硅碳棒颗粒,其粗糙度随着H:浓度增大而增加。实验表明,H:流量在500-800scan时,硅碳棒晶须合成率较高。www.sdzygw.com (p42)
上一篇:硅碳棒效应本质上时激发光与分子之间相互作用         下一篇:反应气压对硅碳棒晶须生长的影响
 
 
网站首页 | 公司简介 | 新闻中心 | 产品展示 | 企业文化 | 联系我们 | sml地图 |

友情链接:硅碳棒 硅碳棒厂家 桥梁模板 桥梁模板租赁 蜗轮蜗杆 山东橡胶制品厂家 农林保水剂 导热硅胶片 仓储笼 防水套管 氟塑料泵 玻璃工艺品 ir孔透过率测试仪

版权所有:淄博群强电热元件有限公司 电话:0533-8179050 传真:0533-6588997 手机:13869320298 网址: www.sdzygw.com 地址:淄博市周村区周隆路6699号(309国道北北旺路段)鲁ICP备11003558号