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| 硅碳棒的密度强度提高电阻率下降 |
由图5可以看出:在第1次烧成中随温度升高，硅碳棒的密度、强度提高，电阻率下降。这是由十随温度升高，埋烧料中的二氧化硅蒸气压力增大，硅蒸气进入坏体中与碳质原料作用生成碳化硅的反应越来越彻底，直至碳质原料完全消耗完，第1次反应烧结也就完成，由图7中21号硅碳棒，图8中24号硅碳棒的S1VI照片可清楚看出这一点。由图5可以看出到195012000翔寸产品的性能差不多，这说明第1次反应烧结已完成，从节能角度选1950撮合理。由图6可以看出:第2次反应烧结的规律和第1次反应烧结相近似，随温度升高，硅碳棒的密度、强度在第1次烧成的基础上继续提高，电阻率继续下降。这是由于第1次烧结体中通过渗碳，随温度升高，埋烧料中的二氧化硅蒸气压力增大，硅蒸气进入坯体中与碳质原料作用生成碳化硅的反应越来越激烈，直至碳质原料完全消耗完，同时在高温下碳化硅晶体重新结晶，晶体进一步融合长大傲图9的2150(晓结硅碳棒的1VI照片也可看到这一点天硅碳棒的密度和强度会进一步提高，电阻率进一步下降。到2150二品性能达到最优，温度再升高硅碳棒性能改善不大，从节能的角度，2150(汐夕最佳第2次烧结温度。从图lOl图11中可以看出在较低温度下的第1次烧成，和较高温度下的第2次烧成，其晶相和晶型是不同的。图10中试样的X拿!线衍射谱图有10个衍射峰。这10个峰中有8个峰是六方的a一SL(6H一SL)、有4个峰是立方的俘一SiC(日3C-SL其中还有3个峰是不能确定晶型的a一S耳以及一个较弱的杂质峰SC〕相。观察图10中6H-SL加几个较强且全的峰，峰的对称程度很高。说明6H-S塌体的对称程度也很高，结晶很好。从图lOl图11中也可发现:随烧成温度升高，发生了俘一SL'向a一SL晶型的转变，图11中已不存在日一S耳只有六方的。一SL(6H-SL和不能确定晶型的。一S耳温度是影响SL塌体生长速度和自形程度好坏的关键因素，随着温度升高，俘一SC由无定形体向半自形体转变最后成为自形体。温度越高，晶体形态越完整，自形程度越高。素烧温度在1000C,保温30mIn,烧成温度在1980-2060寸的试样强度最高，电阻率值也比较合理。第2次烧成及其工艺，有利于硅碳棒烧结并致密化，第2次烧成可使第1次烧成形成的俘一SiC全转变成a一SiC6。www.sdzygw.com
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