试样硅碳棒以KOH在500℃下浸蚀3分钟:未见明显中间相产生，a-S i C晶粒间为自相结合，只是某些晶粒边缘稍有浸损，显露了某些大晶粒是由若于小晶粒聚集烧结而成，更清楚了解到晶粒间的烧结情况。
    晶粒度、气孔率、聚集体测定:
    利用光电在显微镜下进行硅碳棒粒度分析以及用线法求积进行气孔率测定，考虑到硅棒电热性能，可能和单晶体与聚集体间的比例有关。在偏光显微镜下做了各试样硅碳棒中聚集体百分数的统计工作。
    从晶粒分布可见到发热部粒度由细至粗降低趋势，而端部以中间粒度为高，左右下降趋势。
    显微结构
    两种试样硅碳棒大致可分为发热部和冷端来描述。
    A:内圈边缘烧结成一串环状的致密结构，B，也有如此情况，但稍有松散些，连续相略其发热部气孔率较低、说明了烧结较好的一面，品粒与气孔分布均匀、端部气孔大、外圆气孔显著增高，B试样硅碳棒多数大晶体系由若干小晶粒聚集结合、分布不均匀，形成团块状，连续相较少，层裂和沟纹形成了显微结合的松密不一分层现象。A试样硅碳棒晶粒间界以直线形为主，晶面L含有少量的小孔而显出其烧结状况，B:试样硅碳棒的晶界呈曲线形并有较多气孔连续相较少。
    硅碳棒主要组成物相是。-SiCX射线分析尚见少量(3-S i C和SiC:存在，SiC晶体可能以显微的立方一六方合生体存在，而迄今仍认为纯六方SiC，工业产品中却往往达到25---30%立方SiC、此外-S i C和SiOz很可.能以薄层覆盖于a-S i C晶体的晶面上，(固而致使a-S iC显微硬度与反射率的数值均降低一些)。
    除a-S i C自相组合之外，并未发现明显中间相出现，对这一点初步认为是由于硅碳棒的主要原料SiC高温再结晶以及填加物金属硅和纯碳在高温化合反应条件下也可以生成SiG结晶体，同时亦形成自相结合的烧结体。www.sdzygw.com