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| 硅碳棒电阻加热炉 |
| 硅碳棒焦炭溶损反应性随反应条件而改变，其随COZ流量和反应时间的增加而增大。负载氧化铁(吸附和添加)均使硅碳棒焦炭溶损反应性增大。吸附氧化铁对硅碳棒焦炭溶损反应的影响存在一个负载量饱和点(1%)，超过该点后即使大幅增大氧化铁吸附负载量也基本不再对硅碳棒焦炭反应性产生影响。氧化铁负载方式对硅碳棒焦炭溶损反应的影响程度不一，吸附法对硅碳棒焦炭溶损反应的影响大于添加法，主要是由于铁氧化物分布方式不同导致吸附法能提供更多有效催化活性中心。氧化铁对硅碳棒焦炭溶损反应的影响机理因其负载方式不同而异。吸附负载氧化铁导致其对反应起催化作用，添加负载氧化铁影响成焦结构从而影响硅碳棒焦炭反应性。本文报道了用硅碳棒电阻加热炉生长担酸锉晶体的工艺条律拣寸晶冰减茜是冰、双折射梯度、压电和声表面波等物理性能进行了溯试，并研究了担酸理晶体在光波导方面的应用。钮酸铿(LiTaO)单晶与妮酸铿比iN60,)同构，属三方晶系，3点群，它具有优良的压电、电光和热电性能，在激光、电子和集成光学领域有着广阔的应用前景。作为压电材料，它的突出优点是延迟时间温度系数低，在一o-sate范围内仅为18ppm，硅碳棒的热稳定性好，是制作SAW彩色电视机中颇滤波器的优良材料。由于LiTaO:晶体的光学均匀性高，在集2晶体的生长。生长LiTaO:晶体所用原料LiECO，和Ta205，其纯度均达到99.99。由相图(图1)可知，Liraq的固液同成分配比为Li/Ta=48.5151.25=0.951(摩尔比)，比化学计量比(Li/Ta1)路有偏差。晶体生长原料采用固液同成分配比，此时LiTa03的合成反应为:0.95LiC03+Tag05-Lio,951Ta.s7s+0.95100$个。www.sdzygw.com |
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