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改善硅碳棒内部温度的均匀性

  不同反应器壁发射率条件下,硅碳棒半径为7 cm时,西门子反应器中外环硅碳棒内部温差变化如图6所示。硅碳棒内部温差随着反应器壁发射率的增大而增大,当反应器壁发射率为0. 1时,硅碳棒内部温差约为107 K ,而当发射率增大到0. 9时,硅碳棒内部温差高达387 K。因为反应器壁发射率越大,其吸收热量越多,反射回硅碳棒表面热量减小,造成硅碳棒表面辐射热损失增大,需提供的热量增多,由式(10)可知,硅碳棒径向温度梯度护护增大,从而增大了硅碳棒内部温差。由此可见,将反应器壁发射率由0. 9降低到0. 1,其内部温差可降低近70%。因此,通过镀膜等手段降低反应器壁发射率,能够明显改善硅碳棒内部温度的均匀性。http://www.sdzygw.com/

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