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| 硅硅碳棒电阻率和力学性能的工艺因素 |
作为一种性能优良的硅碳棒，SiC具有极佳的力、热、电特性。通过对SiC硅碳棒制备工艺的研究，找出了最佳素烧温度和最佳烧结温度制度。通过测试最佳工艺条件下制品的密度、强度、电阻率，并利用XRD , SEM测试其晶体结构和微观形貌，分析了影响破化硅硅碳棒电阻率和力学性能的工艺因素。结果表明:素烧温度在1 000 9C，保温30 min，烧成温度在1 9802 060℃时的试样强度最高，电阻率值也比较合理。
SiC硅碳棒俗称硅碳棒，是以碳化硅为主要原料，用煤沥青作结合剂，经成型、素烧、高温反应烧结的碳化硅制品。它具有碳化硅制品的一系列物理化学特性，可显示出无机高温结构材料的一系列优越性能〔i,z)。SiC硅碳棒通常使用温度为1 400℃以下，正常连续使用寿命一般在2 000 h以上，还具有直接使用商业电源的电阻性能J3。SiC硅碳棒热辐射能力强，可精确控制温度;在工业应用上，通常加工成棒状、条状、板状和U形等，使用方法简单，可并联、串联、混联使用，可水平或竖直安装;性价比较高;是中高温工业电炉和实验电炉最常用的硅碳棒。国外的SiC硅碳棒的最高使用温度已达到1 650℃，在1 600℃可长期使用，可取代二硅化钥发热元件6-8J。目前，我国的碳化硅硅碳棒在生产成品率和产品质量上与国外存在较大的差距。随着我国工业窑炉和高温技术的发展，对碳化硅发热元件的使用温度和使用寿命也提出了较高的要求。SiC硅碳棒对工艺的要求比较高，因为加工工艺对其成品率和性能影响很大。因此，探讨碳化硅硅碳棒的素烧工艺和烧成工艺，对解决电阻离散性大、力学性能差等问题是非常重要的。www.sdzygw.com |
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